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吴集锡先生受邀作“先进3D电子封装集成技术”专题讲座
发布日期:2021/1/13 21:06:17 阅读次数:53967

2021年1月13日上午,永利集团电子材料与技术研究所外聘专家吴集锡先生应邀在徐祖耀楼姚征报告厅举行题为“先进3D电子封装集成技术”的讲座,吸引学院六十余名师生前来聆听。

首先,吴先生指出,由于缩小器件尺寸造成的物理效应、功耗等问题使得集成电路工艺发展遇到瓶颈,为了进一步延续摩尔定律,先进3D电子封装集成技术的发展至关重要。3D封装技术通过堆叠、孔互联等微机械加工技术,能有效利用空间,大大提升集成密度。

随后,吴先生就PoP (Package on Package)、2.5 D CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)、InFo(Integrated Fan Out)三种先进3D封装技术进行详细阐述,并结合实际案例向同学们介绍了具体的工艺步骤和技术难点。

最后,吴先生指出,尽管先进3D封装技术有着诸多好处,但仍旧存在困难与挑战。同时,他对行业未来发展进行了展望。本次讲座极大地激发了对电子信息材料与技术的兴趣,让同学们对行业内最先进的3D封装技术有了一定的了解,收获颇丰。

在交流讨论环节,同学们踊跃地就自己感兴趣的方面进行了提问,吴先生对此做了详实、生动的解答,让学生受益匪浅。

会后,电子材料与技术研究所负责人李明教授为专家们送上纪念礼品并合影留念。

吴集锡先生简介:先生现为我院电子材料与技术研究所外聘专家,拥有极为丰富的半导体制程开发经验,尤其是为全世界目前唯一的高端专家能够横跨先进逻辑半导体工艺与3D封装技术制程。2019年带领团队成功开发出全球最大面积的人工智能AI芯片chiplet整合封装,并实现超高良率量产。2014到2019年期间与美国最大手机公司合作为其开发芯片高端系统整合技术,贡献产品整体效能提升极为巨大。2012年间领导RD技术团队开发Foundry工业界首个16奈米FinFET先进逻辑制程整合工艺并获得美国多项重要专利,并得以延续至今的7奈米实现。2010年带领RD整合工艺团队成功开发金属闸层电晶体(Metal Gate)整合制程工艺,并实现芯片代工界第一个高良率大量生产。


撰稿:张嘉旎

摄影:胡桦

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